第92章 继续招募人才（不感兴趣的大佬请跳过本章）（3 / 9）

具有更高频率的pc1066规范rdram来力挽狂澜，但最终也是拜倒在ddr内存面前。ddr时代ddrsdram(dualdataratesdram)简称ddr，也就是“双倍速率sdram“的意思。ddr可以说是sdram的升级版本，ddr在时钟信号上升沿与下降沿各传输一次数据，这使得ddr的数据传输速度为传统sdram的两倍。由于仅多采用了下降缘信号，因此并不会造成能耗增加。至于定址与控制信号则与传统sdram相同，仅在时钟上生缘传输。

ddr内存条

ddr内存是作为一种在性能与成本之间折中的解决方案，其目的是迅速建立起牢固的市场空间，继而一步步在频率上高歌猛进，最终弥补内存带宽上的不足。第一代ddr200规范并没有得到普及，第二代pc266ddrsram（133mhz时钟x2倍数据传输=266mhz带宽）是由pc133sdram内存所衍生出的，它将ddr内存带向第一个高潮，另外还有不少赛扬和amdk7处理器都在采用ddr266规格的内存，其后来的ddr333内存也属于一种过渡，而ddr400内存成为当下的主流平台选配，双通道ddr400内存已经成为800fsb处理器搭配的基本标准，随后的ddr533规范则成为超频用户的选择对象。ddr2时代ddr2（doubledatarate2）sdram是由jedec（电子设备工程联合委员会）进行开发的新生代内存技术标准，它与上一代ddr内存技术标准最大的不同就是，虽然同时采用了在时钟的上升/下降延同时进行数据传输的基本方式，但ddr2内存却拥有两倍于上一代ddr内存预读取能力（即：4bit数据读预取）。换句话说，ddr2内存每个时钟能够以4倍外部总线的速度读/写数据，并且能够以内部控制总线4倍的速度运行。此外，由于ddr2标准规定所有ddr2内存均采用fbga封装形式，而不同于广泛应用的tsop/tsop-ii封装形式，fbga封装可以提供了更为良好的电气性能与散热性，为ddr2内存的稳定工作与未来频率的发展提供了坚实的基础。回想起ddr的发展历程，从第一代应用到个人电脑的ddr200经过ddr266、ddr333到双通道ddr400技术，第一代ddr的发展也走到了技术的极限，以及很难通过常规办法提高内存的工作速度；随着intel最新处理器技术的发展，前端总线对内存带宽的要求是越来越高，拥有更高更稳定运行频率的ddr2内存将是大势所趋。随着cpu性能不断提高，我们对内存性能的要求也逐步升级。不可否认，仅仅依高频率提升带宽的ddr迟早会力不从心，因此jedec组织很早就开始酝酿ddr2标准，加上lga775接口的915/925以及最新的945等新平台开始对ddr2内存的支持，所以ddr2内存将开始演义内存领域。ddr2能够在100mhz的发信频率基础上提供每插脚最少400mb/s的带宽，而且其接口将运行于1.8v电压上，从而进一步降低发热量，以便提高频率。此外，ddr2将融入cas、ocd、odt等新性能指标和中断指令，提升内存带宽的利用率。从jedec组织者阐述的ddr2标准来看，针对pc等市场的ddr2内存将拥有400、533、667mhz等不同的时钟频率。高端的ddr2内存将拥有800、1000mhz两种频率。ddr-ii内存将采用200-、220-、240-针脚的fbga封装形式。最初的ddr2内存将采用0.13微米的生产工艺，内存颗粒的电压为1.8v，容量密度为512mb。

将内存放大到100万倍后的样子，它的内部有上百亿个存储单元，存储单元分为晶体管和电容器两部分，这是一个电容器，电容器连接电源后可以为电容器充电，充满电的电容器可以当做电池使用，为其他电器供电，只不过持续的时

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